8月27日，铠侠宣布已开始为日本岩手县北上市工厂新建Fab3厂房进行场地准备等相关工作，以扩大先进3D闪存BiCS FLASH产能。Fab3将建于现有Fab2南侧，目标于2029财年开始运营。铠侠表示，随着智能体AI、物理AI和端侧AI发展，中长期闪存市场预计将持续大幅增长。公司将通过建设Fab3扩大产能并确保先进闪存产品稳定供应。Fab3的具体建设进度和设备投资计划将根据市场趋势确定，相关投资取决于政府支持。