特朗普政府正在给韩国芯片巨头 SK 海力士出一道难题：想继续把美国制造的先进设备运进中国工厂，就得拿出在美国建厂的诚意。但 SK 海力士显然不打算乖乖交卷，而是想把美国最在意的投资承诺，变成自己争取设备许可的谈判筹码。

10月15日，路透社报道称，SK 海力士尚未获得美国商务部批准其2027年向中国大连工厂运送设备的许可。其美国子公司 Solidigm 正在争取向大连运送更多设备，以便启用一片尚未充分配置设备的厂区。SK 海力士强调，此举并非为了扩大工厂产能。

这场拉锯战的关键，不在于 SK 海力士愿不愿意去美国投资，而在于美国能否接受一个现实：企业可以在美国建厂，但不能因此放弃中国市场的生意。

美国对韩国存储芯片企业的限制早有铺垫。2022年10月，拜登政府禁止向中国出口能够制造128层及以上 NAND 闪存的设备，但给予三星和 SK 海力士豁免。2023年，两家企业的中国工厂又获得经验证最终用户（VEU）资格，无须逐年申请相关许可。

特朗普政府上台后，决定撤销这项安排，并将其称为“拜登时代的漏洞”。2025年12月30日，美国最终改为向两家企业发放年度许可证，允许它们在2026年继续向中国工厂运送美国制造的芯片设备。

从长期豁免变成一年一审，变化的不只是手续，更是企业经营的不确定性。工厂投资动辄数十亿美元，建设周期以年计算，设备能不能按时到位，却可能取决于华盛顿每年的政策决定。

目前，大连工厂是全球唯一生产192层浮栅式 3D NAND 的设施之一类特殊产品，用于 Solidigm 面向 AI、企业级应用和超大规模数据中心销售的固态硬盘。

厂区内的 Mod B 建筑2023年就已建成，只是此前受存储市场低迷影响，没有完成全部设备安装。设备一旦到位，就有望较快投入生产。

反观美国，一座新工厂，从规划到投产通常需要3至5年。SK 海力士去年8月在印第安纳州动工建设的40亿美元高带宽内存封装厂，预计要到2029年下半年才能开始量产。

所以，两者的差别一目了然：大连是马上就可以开工开干，而美国则需要在政治斗争中耐心等待。

偏偏这个时候，AI 产业最缺的就是等待。自2023年年中以来，NAND 闪存价格已上涨约700%，AI 数据中心需求推动全球存储芯片供应趋紧。在这种行情下，谁能更快交货，谁就更有机会抓住订单。再加上中国的运营成本低于韩国，企业当然没有理由主动放弃现有产能。

这也是 SK 海力士的谈判底气所在。它并非拒绝美国投资，而是希望在履行美国投资计划的同时，保住中国工厂的正常运营。换句话说，美国希望用市场准入换取投资，企业则希望用投资换取更稳定的经营空间。

事实上，SK 海力士和三星都在加码美国。三星2025年7月签署了价值165亿美元的特斯拉 AI 芯片制造合同，其首座芯片工厂预计于年底投入运营，第二座工厂的基础工程也已基本完成。

SK 海力士除在印第安纳州投资40亿美元外，其美国子公司还被曝考虑在纽约州北部建设 NAND 工厂，并与英特尔洽谈在俄亥俄州生产存储芯片。

因此，问题不是韩国企业有没有投资美国，而是这些投资能否成为继续经营中国业务的交换条件。特朗普政府若要求企业增加美国投资，却又不愿在设备许可上作出任何妥协，就可能让企业承担双重成本。

同时，SK 海力士还要面对行业竞争压力。中国存储厂商长江存储早已在追赶先进 NAND 技术。2022年，该公司利用 Xtacking 技术，将两颗116层芯片组合成232层产品。

2024年底，它又通过多重曝光和刻蚀等工艺制造出150层芯片，并将150层与144层芯片组合成298层产品，接近 SK 海力士量产的321层芯片。

尽管在技术层面，长江存储还存在差距，但差距并不等于永远无法追赶。马斯克上周也在X平台表达了类似观点：美国的设备管制可以增加中国企业的研发难度，却无法保证竞争对手停在原地。

这场博弈真正考验的，是特朗普政府能否分清政治目标与商业规律。把工厂吸引到美国，可以靠补贴、税收优惠和投资条件；但如果把企业在中国的每一项正常经营活动都变成政治谈判的筹码，最终增加的可能不只是中国企业的成本，还有美国企业自身的供应链风险。