• 2012年，崔泰源力排众议收购濒临破产的海力士（SK海力士前身），开启一场高风险的产业逆袭。

• 在2015-2016年、2018-2019年存储器行业深度低谷中，他顶住巨额亏损与资本市场压力，坚持逆周期重仓HBM。

• 十年坚守后，生成式AI爆发，SK海力士凭借先发优势迅速占据全球HBM市占率主导地位，成为英伟达最核心战略供应商。

• 2026年6月29日，曾入狱的崔泰源站在青瓦台，与总统李在明、三星李在镕共同宣布韩国“三大超级项目”。

2026年6月29日，韩国总统府青瓦台。

总统李在明向身边两位财阀掌门人深深鞠躬致敬——一位是三星电子实际掌权者李在镕，另一位是SK集团会长崔泰源。

这一幕被镜头定格，迅速成为全球媒体焦点。因为就在不久前，这两位掌门人都曾身陷囹圄。而此刻，他们却共同站在国家战略舞台上，宣布韩国“三大超级项目”——半导体产业集群、AI数据中心与物理AI产业化落地。

其中，SK海力士在忠清地区建设大型HBM封装基地的重磅规划，让这家企业再次成为全球产业目光的中心。如今稳居全球HBM市占率第一梯队、深度绑定英伟达供应链的SK海力士，已是韩国半导体产业最核心的支柱。

而这一切的起点，可以追溯到2012年崔泰源做出的那个被当时舆论视为“疯狂”的决定。他用十余年时间，完成了一次从争议继承人到产业战略家的完整逆袭。

从争议继承人到力排众议的收购者 

崔泰源出生于韩国第二大财阀SK集团。作为会长之子，他本该顺风顺水。然而2000年代中期，因集团财务丑闻，他被卷入挪用公款、背信等案件，并被判刑入狱。这段经历让他一度成为韩国商界最受争议的人物。出狱后，很多人以为他会选择低调蛰伏。

但2012年，他做出了改变自己和一家企业命运的决定。

当时，海力士（前现代电子）正处于生死边缘。受亚洲金融危机影响，公司背负约140亿美元巨额债务，现金流枯竭，随时可能破产清算。韩国几乎所有大财阀都拒绝接盘，认为这是“半导体无底洞”。行业舆论一致看空。

崔泰源却力排众议，推动SK集团以约30亿美元收购海力士21%股份，成为最大股东，并将公司更名为SK海力士。这一决策在当时被视为高风险赌注，SK集团内部也存在反对声音。但崔泰源坚持认为，存储芯片仍是未来战略性产业，不能因短期困境而放弃。

收购只是第一步。真正考验他战略眼光的，是后续对HBM赛道的态度。

HBM：被行业放弃的“赔钱赛道” 

HBM（高带宽内存）诞生之初，主要用于高端显卡等小众市场。产品需要多层垂直堆叠工艺，制造流程复杂，早期良率偏低，导致量产成本极高。但下游客户议价能力极强，产品价格长期被压制，利润空间极小，甚至在部分周期内处于亏损状态。

在很长一段时间里，HBM被视为“吃力不讨好”的赛道。三星电子在早期布局后，逐步选择战略性收缩。他们判断短期内HBM的投入产出比严重失衡，难以支撑企业整体盈利目标，因此将更多资源倾斜到传统DRAM和NAND等相对成熟、盈利更稳定的产品上。这在当时的市场逻辑下，属于理性且常见的商业决策。

崔泰源的选择却完全相反。

他判断，HBM的高带宽特性注定是未来大规模算力升级的必然方向。一旦AI产业爆发，对高性能内存的需求将呈指数级增长，HBM将从边缘配件升级为核心刚需硬件。基于这一判断，他顶住财报亏损、资本市场质疑和行业集体看衰的压力，要求团队持续深耕HBM，没有大幅缩减研发与产能投入。

这一战略决策的执行，离不开他高度信任的现任SK海力士CEO郭鲁正。郭鲁正拥有材料工程博士背景，长期深耕半导体工艺。崔泰源将HBM的技术研发、工艺优化和产能建设全权交付给他，自己则专注于顶层战略卡位、资源支持和长期资本布局。

在两人形成的“战略+技术”双人体系下，SK海力士在无人坚守的十年窗口期，完成了HBM技术迭代、工艺沉淀、产能储备和专利布局，积累了显著的先发优势。

从低谷到爆发的十年：穿越存储行业周期寒冬

收购海力士后的最初几年，公司仍处于艰难爬坡阶段。存储器行业本身就具有极强的周期性，价格波动剧烈。2015年至2016年，全球DRAM和NAND市场进入严重过剩阶段，产品价格大幅下跌，行业整体出现巨额亏损。SK海力士也未能幸免，连续多个季度出现亏损，股价一度较峰值下跌超过40%，资本市场对公司的质疑声不断。

更严峻的是，2018年至2019年，存储器行业再次进入下行周期。受全球经济放缓和智能手机需求疲软影响，DRAM价格从2018年高点暴跌超过70%，NAND价格也大幅下滑。SK海力士的盈利能力反复承压，部分季度甚至出现净亏损，累计亏损金额一度超过数千亿韩元。内部有人开始质疑继续重仓HBM的必要性，认为应该把资源转向短期能见效的传统产品，以缓解现金流压力。

面对这些压力，崔泰源始终坚持自己的判断。他多次在内部会议上强调：“存储行业有周期，但技术方向没有周期。HBM的高带宽特性是未来算力升级的必然趋势，现在放弃，就等于把未来拱手让人。”他顶住来自股东、分析师和部分管理层的质疑，没有大幅削减HBM的研发和产能投入，而是继续为郭鲁正团队提供资源支持。

郭鲁正则带领团队在低谷中持续攻坚。他们优化多层堆叠工艺，提升产品良率，逐步降低成本，同时通过性能升级打造差异化产品，逐步摆脱对低端显卡市场的依赖。在行业最寒冷的几年里，SK海力士悄然完成了HBM技术的关键迭代和专利布局，为后续爆发积累了先发优势。

这一坚持在2023年生成式AI爆发后得到验证。AI大模型对海量数据的高速读写需求，让GPU算力瓶颈彻底暴露，而HBM成为释放算力的核心硬件。曾经被市场抛弃的赛道，一夜之间成为全球最稀缺的战略资源。

SK海力士凭借提前十年的积累，迅速占据全球HBM市场主导地位，成为英伟达等头部AI企业最核心的战略供应商。HBM业务也从早期低利润状态，转变为企业重要的利润增长点。

反观中途选择收缩的三星电子，如今正投入巨额资源重新追赶，彻底错失了行业最早的红利窗口期。

    
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崔泰源：逆周期十年押注，如何把濒死海力士带到AI时代中心
2026年07月09日 16:23
   
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2012年，崔泰源力排众议收购濒临破产的海力士（SK海力士前身），开启一场高风险的产业逆袭。

在2015-2016年、2018-2019年存储器行业深度低谷中，他顶住巨额亏损与资本市场压力，坚持逆周期重仓HBM。

十年坚守后，生成式AI爆发，SK海力士凭借先发优势迅速占据全球HBM市占率主导地位，成为英伟达最核心战略供应商。

2026年6月29日，曾入狱的崔泰源站在青瓦台，与总统李在明、三星李在镕共同宣布韩国“三大超级项目”。

2026年6月29日，韩国总统府青瓦台。

总统李在明向身边两位财阀掌门人深深鞠躬致敬——一位是三星电子实际掌权者李在镕，另一位是SK集团会长崔泰源。

这一幕被镜头定格，迅速成为全球媒体焦点。因为就在不久前，这两位掌门人都曾身陷囹圄。而此刻，他们却共同站在国家战略舞台上，宣布韩国“三大超级项目”——半导体产业集群、AI数据中心与物理AI产业化落地。

其中，SK海力士在忠清地区建设大型HBM封装基地的重磅规划，让这家企业再次成为全球产业目光的中心。如今稳居全球HBM市占率第一梯队、深度绑定英伟达供应链的SK海力士，已是韩国半导体产业最核心的支柱。

而这一切的起点，可以追溯到2012年崔泰源做出的那个被当时舆论视为“疯狂”的决定。他用十余年时间，完成了一次从争议继承人到产业战略家的完整逆袭。

从争议继承人到力排众议的收购者 

崔泰源出生于韩国第二大财阀SK集团。作为会长之子，他本该顺风顺水。然而2000年代中期，因集团财务丑闻，他被卷入挪用公款、背信等案件，并被判刑入狱。这段经历让他一度成为韩国商界最受争议的人物。出狱后，很多人以为他会选择低调蛰伏。

但2012年，他做出了改变自己和一家企业命运的决定。

当时，海力士（前现代电子）正处于生死边缘。受亚洲金融危机影响，公司背负约140亿美元巨额债务，现金流枯竭，随时可能破产清算。韩国几乎所有大财阀都拒绝接盘，认为这是“半导体无底洞”。行业舆论一致看空。

崔泰源却力排众议，推动SK集团以约30亿美元收购海力士21%股份，成为最大股东，并将公司更名为SK海力士。这一决策在当时被视为高风险赌注，SK集团内部也存在反对声音。但崔泰源坚持认为，存储芯片仍是未来战略性产业，不能因短期困境而放弃。

收购只是第一步。真正考验他战略眼光的，是后续对HBM赛道的态度。

HBM：被行业放弃的“赔钱赛道” 

HBM（高带宽内存）诞生之初，主要用于高端显卡等小众市场。产品需要多层垂直堆叠工艺，制造流程复杂，早期良率偏低，导致量产成本极高。但下游客户议价能力极强，产品价格长期被压制，利润空间极小，甚至在部分周期内处于亏损状态。

在很长一段时间里，HBM被视为“吃力不讨好”的赛道。三星电子在早期布局后，逐步选择战略性收缩。他们判断短期内HBM的投入产出比严重失衡，难以支撑企业整体盈利目标，因此将更多资源倾斜到传统DRAM和NAND等相对成熟、盈利更稳定的产品上。这在当时的市场逻辑下，属于理性且常见的商业决策。

崔泰源的选择却完全相反。

他判断，HBM的高带宽特性注定是未来大规模算力升级的必然方向。一旦AI产业爆发，对高性能内存的需求将呈指数级增长，HBM将从边缘配件升级为核心刚需硬件。基于这一判断，他顶住财报亏损、资本市场质疑和行业集体看衰的压力，要求团队持续深耕HBM，没有大幅缩减研发与产能投入。

这一战略决策的执行，离不开他高度信任的现任SK海力士CEO郭鲁正。郭鲁正拥有材料工程博士背景，长期深耕半导体工艺。崔泰源将HBM的技术研发、工艺优化和产能建设全权交付给他，自己则专注于顶层战略卡位、资源支持和长期资本布局。

在两人形成的“战略+技术”双人体系下，SK海力士在无人坚守的十年窗口期，完成了HBM技术迭代、工艺沉淀、产能储备和专利布局，积累了显著的先发优势。

从低谷到爆发的十年：穿越存储行业周期寒冬

收购海力士后的最初几年，公司仍处于艰难爬坡阶段。存储器行业本身就具有极强的周期性，价格波动剧烈。2015年至2016年，全球DRAM和NAND市场进入严重过剩阶段，产品价格大幅下跌，行业整体出现巨额亏损。SK海力士也未能幸免，连续多个季度出现亏损，股价一度较峰值下跌超过40%，资本市场对公司的质疑声不断。

更严峻的是，2018年至2019年，存储器行业再次进入下行周期。受全球经济放缓和智能手机需求疲软影响，DRAM价格从2018年高点暴跌超过70%，NAND价格也大幅下滑。SK海力士的盈利能力反复承压，部分季度甚至出现净亏损，累计亏损金额一度超过数千亿韩元。内部有人开始质疑继续重仓HBM的必要性，认为应该把资源转向短期能见效的传统产品，以缓解现金流压力。

面对这些压力，崔泰源始终坚持自己的判断。他多次在内部会议上强调：“存储行业有周期，但技术方向没有周期。HBM的高带宽特性是未来算力升级的必然趋势，现在放弃，就等于把未来拱手让人。”他顶住来自股东、分析师和部分管理层的质疑，没有大幅削减HBM的研发和产能投入，而是继续为郭鲁正团队提供资源支持。

郭鲁正则带领团队在低谷中持续攻坚。他们优化多层堆叠工艺，提升产品良率，逐步降低成本，同时通过性能升级打造差异化产品，逐步摆脱对低端显卡市场的依赖。在行业最寒冷的几年里，SK海力士悄然完成了HBM技术的关键迭代和专利布局，为后续爆发积累了先发优势。

这一坚持在2023年生成式AI爆发后得到验证。AI大模型对海量数据的高速读写需求，让GPU算力瓶颈彻底暴露，而HBM成为释放算力的核心硬件。曾经被市场抛弃的赛道，一夜之间成为全球最稀缺的战略资源。

SK海力士凭借提前十年的积累，迅速占据全球HBM市场主导地位，成为英伟达等头部AI企业最核心的战略供应商。HBM业务也从早期低利润状态，转变为企业重要的利润增长点。

反观中途选择收缩的三星电子，如今正投入巨额资源重新追赶，彻底错失了行业最早的红利窗口期。

从争议人物到国家战略推手 

当崔泰源站在青瓦台，与总统李在明、三星李在镕共同宣布国家AI战略时，他已彻底摆脱早年争议标签。尽管与前妻卢素英持续近十年的离婚财产分割案仍未尘埃落定——首尔高等法院将于7月24日作出终审判决，涉及约1.38万亿韩元（约10亿美元）的财产分割——但随着SK海力士股价大涨带动集团市值显著提升，市场对崔泰源控制权可能受冲击的担忧已明显缓解。

从曾经入狱的财阀继承人，到力排众议收购濒死企业，再到把SK海力士带到全球AI供应链核心位置，崔泰源用十余年时间完成了一次完整的商业逆袭。他用实际行动证明：在硬科技领域，真正的竞争力往往不是短期利润的追逐，而是在行业价值低估期，敢于深耕、持续迭代、穿越周期的长期主义。

如今，随着韩国将AI硬件供应链上升为国家战略，崔泰源当年的战略选择，正从企业决策上升为国家选择。而他与郭鲁正共同书写的这段故事，也为全球科技企业提供了清晰的启示：真正的商业人物，从来不是风口的追逐者，而是周期的穿越者。

在韩国半导体产业从跟随到引领的漫长道路上，崔泰源用一次次关键决策，证明了战略定力的力量。无论外界如何评价，他的选择已经深刻改变了韩国在全球AI时代的产业位置。