阿斯麦尔供应商称，中国在顶尖芯片制造设备领域落后 15 年

9月2日，德国蔡司集团半导体部门负责人弗兰克·罗蒙德（Frank Rohmund）对外作出判断，以当下的研发节奏去评估，中国想要打造完整可用的EUV极紫外光刻机，15年是一个合乎情理的预估；他同时坦言，很难精准量化中国半导体产业的推进速度。蔡司是阿斯麦（ASML）EUV光刻机光学组件的独家供应商。

就在9月1日，瑞银分析师团队由弗朗索瓦‑格扎维埃·布维涅（Francois‑Xavier Bouvignies）牵头发布研报，给出了相对乐观的判断：中国自主实现EUV光刻机整机落地，至少需要10年时间。

两个时间预期并不冲突，二者评估的边界不一样。瑞银测算对象主要是光刻机整机设备；蔡司作为镜头供应商，评估范围覆盖光源、全套光学组件、真空系统、检测设备构成的完整产业链，链条环节越多，变数也就越大。

美国搭建的出口管制网络，并不只是禁止阿斯麦出售EUV整机设备。限制清单延伸至整条供应链，蔡司光学器件、高能光源、特种零部件均被管制。这里要分清设计和制造两件事：国内企业借助EDA设计软件，完全可以独立完成3纳米、2纳米芯片图纸的设计工作。图纸成型不等于芯片可以在国内生产。中国大陆境内晶圆厂没有EUV设备，本土产线没办法把高阶设计图纸加工成实物芯片。

这就形成了目前的常态：很多先进制程芯片，设计工作在国内完成，生产环节交由台积电完成代工。我们市面上看到国产手机搭载的3纳米芯片，就是这种模式的产物。

在现有条件下，国内晶圆厂深挖DUV深紫外光刻机的潜力，依靠多重曝光工艺，可以在本土产线逼近7纳米工艺水准。叠加先进封装技术，将多枚芯片组合，在手机等终端产品上实现接近先进制程的性能表现。这套路径能够快速实现商业化，却存在明显天花板，对于大型AI算力芯片来说，多重曝光方案成本高、良率难以改善，无法长期作为主流路线。

国内半导体产业采取两条路线并行的策略。短期依靠海外成熟工厂代工高端芯片，同时持续打磨DUV工艺与先进封装技术，保障下游产品供给；长期目标是完整攻克EUV整套装备技术，补齐高端芯片制造短板。

10年、15年均为海外机构基于现有状态做出的静态推演。技术进步常常会出现非线性的突破，不过EUV设备有数万个零部件，任何关键部件的攻关延迟，都会拉长整体进程，这条追赶之路注定漫长。