最近几个月，AI的热度不仅没退，反而愈演愈烈——连台积电都忍不住在最新财报中强调，AI相关需求比三个月前还要强劲。但问题也随之而来：3纳米和2纳米这些最先进制程的产能已经快“挤爆”了。为了优先保障AI芯片的生产，一些智能手机客户的晶圆配额很可能得往后排，甚至被牺牲掉。这种取舍，明年恐怕会更加明显。

不只是制造端吃紧，封装测试环节也开始亮起红灯。不少芯片客户私下透露，他们越来越担心拿不到足够的封测产能。有资深分析师指出，真正有效的供应缓解，可能要等到2026年之后。换句话说，接下来一两年，整个产业链都得在紧平衡中前行。

尽管外界对如此高昂的AI资本开支是否真能换来回报仍有疑虑，但一个无法忽视的事实是：AI的实际使用量正在持续攀升。数据显示，每季度的Token输出量节节走高，说明大模型不仅在训练，更在实实在在地被调用。业内预计，今年MLV Two芯片的出货量大约在2.5万到3万片之间，到年底还会留出相当于两个中等规模项目的库存。基于这样的节奏，大家普遍认为，台积电明年将月产能维持在10万片左右，基本够用。如果需求再超预期，它还有洁净室空间可以进一步扩产。

存储芯片市场的情况则更为紧张。大摩最新报告直言，行业正滑向“严重短缺”。2025年第四季度，DRAM合约价预计环比上涨超过21%，服务器用的DDR5谈判涨幅可能突破20%，而手机用的移动DRAM报价甚至一度逼近40%。这背后，不只是AI拉动了高带宽内存（HBM）的需求，更关键的是——厂商把有限的晶圆产能优先给了利润更高的HBM，结果传统DDR反而供应吃紧。到2025年底，HBM预计将吃掉全行业20%的DRAM产能，2026年更可能升至25%。三星和SK海力士已经基本卖光了2026年全年的产能，瑞银也因此上调了它们的目标价，并判断这波涨价至少会持续到2027年一季度。

更值得注意的是，AI对存储的需求正在从HBM“溢出”到更广泛的领域。随着大模型推理加速落地，普通DDR、NAND闪存，甚至机械硬盘都开始受益。而过去四年，存储行业几乎没有新建晶圆厂，如今DRAM产线开工率已高达九成，NAND也到了八成，供需缺口越拉越大。连利基型产品也跟着水涨船高——交换机厂商因为拿不到低功耗DRAM，已经把采购问题直接捅到了CEO层面；华邦虽宣布扩产，但新产能要到2027年下半年才能上线，远水难解近渴。

与此同时，中国本土制造也在默默追赶。中芯国际靠着持续进口的DUV设备，加上国产检测设备逐步替代，扩产节奏并未明显受阻。预计今年能产出约100万颗GPU，明年还有望翻倍。

整体来看，这一轮存储周期早已不是HBM的独角戏，而是演变成一场覆盖全品类、贯穿整个产业链的需求共振。在供给刚性与AI投资双轮驱动下，行业正进入一个持续时间更长、确定性更高的上行通道——而这场热潮，可能才刚刚开始。